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Schneller Phasenwechselspeicher entwickelt

Schweizer Wissenschaftler stellten am 3. IEEE International Memory Workshop in Monterey den vermutlichen Nachfolger heutiger Flash-Speicher vor. Der aus 200.000 einzelnen Zellen bestehende Prototyp könne sich etwa ein Megabit an Daten merken. In fünf Jahren soll die Technologie marktreif sein.

Mit dem aus der 90-nm CMOS Fertigung bekannten Verfahren wurden die Zellen auf einem "Areal" angeordnet. "Der Kern jeder Zelle besteht aus dem Material Germaniumantimontellurid." Die Binärwerte "0" und "1" werden von Hitzeimpulsen ausgelösten Widerstandswerten zugeordnet.

Das Material wechselt je nach Temperatur seinen Phasenzustand, daher auch der Name. Spannungen bis zu 2,5 Volt reichen bereits aus, um den bis zu zehn Millionen Mal wiederbeschreibbaren Speicher zu aktivieren. Bis zum Einsatz als Massenspeicher wird die Technologie vermutlich günstiger als Flash werden.


WebReporter: bORGkING_ALPha
Rubrik:   High Tech
Schlagworte: Schweiz, Speicher, Flash, Prototyp, Datenspeicherung
Quelle: www.wissenschaft-aktuell.de

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3 User-Kommentare Alle Kommentare öffnen

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04.07.2011 17:22 Uhr von bORGkING_ALPha
 
+13 | -0
 
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Interessanter Blick in die Zukunft der Speicherentwicklung und vor allem ein wichtiger Zwischenschritt auf dem Weg zu Quantenspeichermodulen die wohl noch einige Jahre mehr brauchen werden.

PS: Die Shortnews-Redaktion hat meinen 2. Satz leider umformuliert. Der Speicher "könne sich nicht etwa ein Megabit an Daten merken", sondern "konnte" bei der Präsentation - das wird logischer Weise in Zukunft wesentlich mehr sein.

[ nachträglich editiert von bORGkING_ALPha ]
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04.07.2011 19:47 Uhr von nickschecka
 
+3 | -0
 
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will: ich haben ...
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06.07.2011 11:25 Uhr von Sp4wN
 
+1 | -0
 
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zehn Millionen mal? zehn Millionen mal klingt jetzt nicht sonderlich viel, oder hab ich hier Fehlinformationen?

Ich lass mich gerne belehren.
Welche Lebensdauer haben denn handelsübliche Speichermedien?

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