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Intel baut weltweit kleinste SRAM Zelle

Forscher der Intel Corporation haben die weltweit kleinste SRAM (Static Random Access Memory) Speicherzelle hergestellt, die lediglich 1 Quadrat-Mikrometer (µm2) groß ist.

Diese SRAM-Zelle wurde als Teil eines voll funktionsfähigen SRAM Speicherchips hergestellt, unter Verwendung von Intels 90 Nanometer (nm) Prozesstechnologie der nächsten Generation in der Halbleitertechnik.

Dieser Meilenstein zeigt, dass Intel die 90 Nanometer Technologie planmäßig im Jahr 2003 in der Produktion einsetzen kann.


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WebReporter: us-market.de
Rubrik:   Wirtschaft
Schlagworte: Welt, Intel, Zelle
Quelle: www.us-market.de

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