25.01.02 11:47 Uhr
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Neuer High-Speed Speicher doppelt so schnell wie DRAM

Ende Januar werden die ersten Speicher einer neuen Generation in Netzwerkroutern von Cisco und Xilinix hergestellt. Der RLDRAM genannte Speicher soll die Lücke zwischen herkömmlichen DRAM und dem äußerst teueren statischen RAM schließen.

Grob gesagt liegt der Preis 50% höher als bei herkömmlichen DRAM, die Leistung dafür 200% höher. Zugriffszeiten von 20 Nanosekunden bedeuten eine dreifache Steigerung gegenüber normalem dynamischen RAM.

Hauptziel der Hersteller Micron und der Siemens-Tochter Infineon ist dabei der Level 3 Chache Speicher. Neben Routern werden auch optische Kommunikationsgeräte als Markt gesehen. Für Home-PCs ist der Preis derzeit wohl noch zu hoch.


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WebReporter: slack
Rubrik:   High Tech
Schlagworte: Neuer, Speicher
Quelle: www.heise.de

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