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MRAM-Speicherchips: Durchbruch für stromlosen Speicher ist erfolgt

Theoretisch ist die Idee der MRAM-Speichertechnologie längst vorhanden (SN berichtete), aber nun gelang amerikanischen Forschern auch der praktische Durchbruch. Sie entwickelten ein Material, welches optimale Eigenschaften aufweist.

Chromdioxyd (CrO2) ist ein ferromagnetisches Halbmetall. Mit ihm bleiben Informationen im Gegensatz zu DRAM's auch nach dem Ausschalten erhalten. Möglich wird dies durch den Spin der Elektronen. Dieser kann einen Wert von 0 bis 100 annehmen.

CrO2 hat nun den Wert 96, also nahe am Optimum. Damit besitzt es eine fast eindeutige Ausrichtung der Elektronen (Spin). Diese Eindeutigkeit läßt eine Speicherung von Informationen zu. So bleiben diese auch nach dem Wegfall des Stromes verfügbar.


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WebReporter: prinzeßchen
Rubrik:   Wissenschaft
Schlagworte: Speicher, Durchbruch
Quelle: www.expeditionzone.com

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