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Prototyp von neuem DDR-RAM vorgestellt

Samsung Electronics Co. Ltd. hat den Prototyp eines neuen Arbeitsspeichers präsentiert.

Mit 4 Milliarden Transistoren haben die 1,8 V-Bausteine etwa vier mal so viele Transistoren wie ihre Vorgänger aus der DRAM-Klasse. Die Speicher-Chips basieren auf der neuen 0,10 Micron-Technologie und sind 645 Quadrat-Millimeter groß.

Samsung nimmt an, daß diese neuen Speicherbausteine in etwa 3 bis 4 Jahren in Produktion gehen könnten.


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WebReporter: Samosir
Rubrik:   High Tech
Schlagworte: DDR, Prototyp, RAM
Quelle: www.tomshardware.com

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